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單項(xiàng)選擇題

DDR內(nèi)存缺口為（）個

A.1
B.2
C.3
D.沒有

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單項(xiàng)選擇題

內(nèi)存類型是DDR400，內(nèi)存工作頻率是（）GB/S

A.1.6
B.2.1
C.2.7
D.3.2

DRAM的儲存密度較高、成本低，不需要額外增加更新電路，速度較快。

答案：錯誤

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