單項(xiàng)選擇題

ICD植入術(shù)中測(cè)試除顫閾值時(shí)要求（）

A.能量設(shè)置由低至高
B.能量設(shè)置由高至低
C.至少測(cè)試3次
D.無(wú)需測(cè)試

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單項(xiàng)選擇題

低能量電轉(zhuǎn)復(fù)的電擊能量可設(shè)置為（）

A.5-30J
B.1-5J
C.<10J
D.<30J

單項(xiàng)選擇題

植入ICD時(shí)要求R波振幅（）

A.>2.5mv
B.>5mv
C.>10mv
D.>15mv