單項選擇題

P型半導體發(fā)生強反型的條件（）

A.A
B.B
C.C
D.D

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多項選擇題

P型半導體MIS結構中發(fā)生少子反型時，表面的導電類型與體材料的類型（）。在如圖所示MIS結構的C-V特性圖中，代表去強反型的（）。

A. 相同
B. 不同
C. 無關
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段

單項選擇題

導帶底的電子是（）。

A. 帶正電的有效質(zhì)量為正的粒子
B. 帶正電的有效質(zhì)量為負的準粒子
C. 帶負電的有效質(zhì)量為正的粒子
D. 帶負電的有效質(zhì)量為負的準粒子