A.吸附越強(qiáng),反應(yīng)活性越好 B.吸附越弱,反應(yīng)活性越好 C.中等吸附強(qiáng)度,反應(yīng)活性最好 D.中等吸附強(qiáng)度,反應(yīng)活性最差
A.導(dǎo)電率上升,化學(xué)吸附量低 B.導(dǎo)電率減少,化學(xué)吸附量低 C.導(dǎo)電率上升,化學(xué)吸附量高 D.導(dǎo)電率減少,化學(xué)吸附量高
A.晶體表面的原子處于與體相中的原子不同的狀態(tài) B.它的配位數(shù)小于體相中原子的配位數(shù) C.它的相鄰原子沒有完全補(bǔ)足 D.晶體表面質(zhì)點(diǎn)的排列完全和晶體體相中平等于表面的任何平面中的排列一樣