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滿(mǎn)足雙極晶體管的正常工作,需要晶體管的基區(qū)非常薄,小于少子的擴(kuò)散長(zhǎng)度才可,這樣使擴(kuò)散遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于復(fù)合。
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制備光刻掩膜版,希望黑白區(qū)域間的過(guò)渡區(qū)越大越好。
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在紫外光曝光、X射線(xiàn)曝光、電子束曝光技術(shù)中可實(shí)現(xiàn)直寫(xiě)式曝光不需要掩模版的是X射線(xiàn)曝光技術(shù)。
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