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LPCVD系統(tǒng)中淀積速率是受表面反應控制的,APCVD系統(tǒng)中淀積速率受質量輸運控制。
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實現對CVD淀積多晶硅摻雜主要有三種工藝:擴散、離子注入、原位摻雜。由于原位摻雜比較簡單,所以被廣泛采用。
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CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng),在冷壁式CVD系統(tǒng)中側壁溫度與沉底溫度相等。
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