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判斷題

有限表面源擴(kuò)散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù)，兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。

答案：錯(cuò)誤

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離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無(wú)定形靶。

答案：正確

熱擴(kuò)散摻雜的工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。

答案：錯(cuò)誤