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二氧化硅膜能有效的對擴散雜質起掩蔽作用的基本條件是雜質在硅中的擴散系數大于在二氧化硅中的擴散系數。
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半導體器件生產中所制備的二氧化硅薄膜屬于無定形二氧化硅。
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在常規(guī)熱氧化工藝中干氧氧化的速度最快。
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