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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】使用IGBT時(shí)，為什么要考慮過(guò)電流和過(guò)電壓保護(hù)，一般過(guò)電壓常采用的保護(hù)措施有哪些？
答案：
1）過(guò)電流保護(hù)。若IGBT用于VVVF逆變器，當(dāng)電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)時(shí)將產(chǎn)生突變電流，如果控制回路、驅(qū)動(dòng)回路的配線欠合理，將會(huì)引起...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】功率MOSFET的保護(hù)技術(shù)有哪些？
答案：
柵源過(guò)壓保護(hù)，漏源過(guò)壓保護(hù)，峰值電流保護(hù)，有效值電流保護(hù)，過(guò)熱保護(hù)和靜電保護(hù)。
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述功率MOSFET的特性。
答案：
功率場(chǎng)效應(yīng)管是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流的，因此同雙極型晶體管相比，功率MOSFET具有兩個(gè)顯著的特點(diǎn)：一個(gè)是驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單...
