如圖所示變?nèi)莨蹻M電路,fc=360MHz,γ=3,υφ=0.6V,υΩ(t)=cosΩtV。圖中Lc為高頻扼流圈,C3、C4和C5為高頻旁路電容。 (1)分析此電路工作原理并說明其它各元件作用; (2)調(diào)節(jié)R2使變?nèi)莨芊雌妷簽?V,此時(shí)CjΩ=20pF,求L; (3)計(jì)算最大頻偏和二階失真系數(shù)。
調(diào)頻振蕩器回路由電感L和變?nèi)荻O管組成。L=2uH,變?nèi)荻O管參數(shù)為:Cj0=225pF,γ=0.5,υφ=0.6V,EQ=-6V,調(diào)制電壓為υΩ(t)=3cos(104t)V。求輸出調(diào)頻波的 (1)載頻; (2)由調(diào)制信號(hào)引起的載頻漂移; (3)最大頻偏; (4)調(diào)頻系數(shù); (5)二階失真系數(shù)。
調(diào)頻振蕩器回路的電容為變?nèi)荻O管,其壓控特性為Cj=Cj0/(1+2u)1/2。為變?nèi)荻O管反向電壓的絕對(duì)值。反向偏壓EQ=4V,振蕩中心頻率為10MHz,調(diào)制電壓為υΩ(t)=cosΩtV。 (1)求在中心頻率附近的線性調(diào)制靈敏度; (2)當(dāng)要求Kf2<1%時(shí),求允許的最大頻偏值。