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【計算題】半導體中載流子濃度n
0
=10
14
cm
-3
,本征載流子濃度n
i
=10
10
cm
-3
,非平衡空穴濃度,非平衡空穴的壽命τn
0
=10
-6
s,計算電子-空穴的復合率,計算載流子的費米能級和準費米能級、能級和準費米能級。
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問答題
【計算題】砷化鎵中施主雜質濃度為10
16
cm
-3
,分別計算T=300K、400K的電阻率和電導率。
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問答題
【計算題】硅中受主雜質濃度為10
17
cm
-3
,計算在300K下的載流子濃度n
0
和p
0
。
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