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問答題

【計算題】
施主濃度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡載流子濃度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，計算無光照和有光照時的電導率。已知

答案：

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【計算題】某半導體材料的少子壽命τ=20μs，光照產(chǎn)生了非平衡載流子，試求光照突然停止10μs后，非平衡載流子將衰減到原來的百分之幾？

答案：

【計算題】在一N-Ge樣品中，過剩載流子濃度為10¹⁴cm^-3，空穴壽命100μs，計算該樣品中空穴的復合率。

答案：