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【計算題】對于銅,形成一個不肖特基缺陷的能量為1.2eV,形成一個填隙原子所需要的能量為4eV.估算接近1300K(銅的熔點)時,兩種缺隙濃度時的數(shù)量級差多少.
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【計算題】假設(shè)把一個Na原子從Na晶體中移到表面上所需的能量為1eV,計算室溫時肖特基缺陷的濃度.
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【計算題】
求證在立方密積結(jié)構(gòu)中,最大的間隙原子半徑r與母體原子半徑R之比為
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