半導體芯片制造工半導體制造技術問答題每日一練(2019.01.25)

來源：考試資料網

1.問答題 下圖為硅外延生長速度對H₂中SiCL₄摩爾分量的函數曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。

2.問答題簡述雜質在SiO₂的存在形式及如何調節(jié)SiO₂的物理性質。

3.問答題簡述在熱氧化過程中雜質再分布的四種可能情況。

4.問答題采用無定形掩膜的情況下進行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應為多少？用注入雜質分布的射程和標準偏差寫出表達式。

5.問答題畫出側墻轉移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。